فایل تعيين چگالي بارهاي سطحي ميان – گاه

فصل اول : ساختارهاي دورآلاييده........................... 1

مقدمه .......................................................................................... 2

1-1 نيمه رسانا.................................................................................. 3

1-2 نيمه رسانا با گذار مستقيم و غير مستقيم.............................. 4

1-3 جرم موثر............................................................................... 4

1-4 نيمه رساناي ذاتي............................................................ 6

1-5 نيمه رساناي غير ذاتي و آلايش............................... 7

1-6 نيمه رساناهاي Si و Ge ...................................... 10

1-7 رشد بلور ................................................ 13

1-7-1 رشد حجمي بلور.......................................... 15

1-7-2 رشد رونشستي مواد..................................... 15

1-7-3 رونشستي فاز مايع .......................................... 16

1-7-4 رونشستي فاز بخار....................................... 18

1-7-5 رونشستي پرتو مولکولي ...................................... 19

1-8 ساختارهاي ناهمگون....................................................... 20

 1-9 توزيع حالت‌هاي انرژي الکترون‌ها در چاه کوانتومي........................ 21

1-10 انواع آلايش......................................................................... 23

1-10-1 آلايش کپه­اي................................................................... 24

1-10-2 آلايش مدوله شده (دورآلاييدگي)...................................... 24

1-10-3 گاز الکتروني دوبعدي ................................................. 25

1-10-4 گاز حفره­اي دوبعدي............................................................ 26

1- 11 ویژگی و انواع ساختارهاي دور آلاييده ........................................ 27

1-11-1 انواع ساختارهاي دورآلاييده به­­لحاظ ترتيب رشد لايه­ها ............. 27

1-11-2 انواع ساختار دور آلاييده به لحاظ نوع آلاييدگي ( n يا p )............ 28

1-11-3 انواع ساختار دور آلاييده دريچه­دار.............................. 29

1-12 کاربرد ساختارهاي دور آلاييده................................................ 33

1-12-1 JFET......................................................................................... 33 

1-12-2 MESFET ................................................................. 34

1-12-3 MESFET پيوندگاه ناهمگون .............................................. 35

فصل دوم : اتصال فلز نيمه رسانا (سد شاتکي)...................... 38

مقدمه .................................................................................... 39 

2-1 شرط ايده آل و حالتهاي سطحي ................................. 41

2-2 لايه تهي ................................................................ 44

2-3 اثر شاتکي ................................................ 47

2-4 مشخصه ارتفاع سد.............................. 51

2-4-1 تعريف عمومي و کلي از ارتفاع سد......................... 51

2-4-2 اندازه گيري ارتفاع سد................................ 57

2-4-3 اندازه گيري جريان ولتاژ................................ 57

2-4-4 اندازه گيري انرژي فعال سازي........................ 60 

2-4-5 اندازه گيري ولتاژ- ظرفيت............................................ 60

2-4-6 تنظيم ارتفاع سد .................................................... 62

2-4-7 کاهش سد ....................................................................... 62

2-4-8 افزايش سد....................................................................... 63

2-5 اتصالات يکسوساز . ................................................................... 64

2-6 سدهاي شاتکي نمونه  .................................................................. 64

فصل سوم : انتقال بار در ساختارهاي دورآلاييده...................... 66

مقدمه.......................................................................................... 67

 3-1 ساختار دور آلاييده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si .......................................... 68

3-2 ساختار نوار ظرفيت ساختار دور آلاييده معکوسp-Si/SiGe/Si............. 69

3-3 محاسبه انتقال بار در ساختارهاي دور آلاييده................................ 71 

3-3-1 آلايش مدوله شده ايده­آل................................................... 71

3-3-2 محاسبات خود سازگار چگالي سطحي حاملها ...................... 74

3-3-3 اثر بارهاي سطحي بر چگالي گاز حفره­اي .............................. 74

3-4 روشهاي کنترل چگالي سطحي حاملها ........................ 76

3-4-1 تاثير تابش نور بر چگالي سطحي حاملها ............................. 77

3-4-2 تاثير ضخامت لايه پوششي بر چگالي سطحي حاملها............ 78

3-4-3 دريچه دار کردن ساختار دور آلاييده ............................... 79

3-5 ساختارهاي دورآلاييده معکوس p-Si/SiGe/Si با دريچه بالا ...................... 79

3-6 انتقال بار در ساختارهاي دورآلاييده معکوس با دريچه بالا..................... 82

3-7 تاثير باياسهاي مختلف بر روي چگالي سطحي ­حفره­ها ........................... 83

3-8 ملاحظات تابع موج........................................................................ 86

3-9 وابستگي Zav به چگالي سطحي حاملها در ساختارهاي بي دريچه................... 87

3-10 وابستگي Zav به چگالي سطحي حاملها در ساختارهاي دريچه­دار.............. 87

فصل چهارم : نتايج محاسبات  ............................................................ 89

مقدمه........................................................................................ 90

4-1 محاسبات نظري ساختارهاي دورآلاييده بي دريچه Si/SiGe/Si .............. 91

4-1-1 محاسبات نظري ns برحسب Ls ....................................... 91

4-1-2 محاسبات نظري ns برحسب NA  .................................................. 96

4-1-3 محاسبات نظري ns برحسب nc ....................................... 99

4-1-4 محاسبات نظري کليه انرژيهاي دخيل برحسب Ls ................. 100

4-2 محاسبات نظري ساختارهاي دورآلاييده دريچه­دار Si/SiGe/Si ............ 100

4-2-1 محاسبات نظري ns برحسب vg ......................................... 100

4-2-2 بررسي نمونه ها با nsur متغير و تابعي خطي از vg با شيب مثبت .............. 107

4-2-3 بررسي نمونه ها با nsur متغير و  تابعي خطي از vg با شيب منفي.......................... 114

فصل پنجم : نتايج............................................................................. 124

5-1مقايسه سد شاتکي با ساختار دورآلاييده دريچه دار p-Si/SiGe/Si ......... 125

5-2 بررسي نمودارهاي مربوط به چهار نمونه ......................................... 125

پيوست ...................................................................................................... 129

چکيده انگليسي (Abstract) ........................................................... 139

منابع................................................................................................ 141

 

چکيده

در ساختارهاي Si/SiGe/Si که بوسيله روش رونشاني پرتو مولکولي رشد مي­يابند به دليل ناپيوستگي نوار ظرفيت يک چاه کوانتومي در نوار ظرفيت و در لايه SiGe شکل مي­گيرد اگر لايه­هاي مجاور با ناخالصي­هاي نوع p آلاييده شده باشند حفره­های لايه آلاييده به داخل چاه کوانتومي مي­روند و تشکيل گاز حفره­اي دوبعدي در ميانگاه نزديک لايه آلاييده مي­دهند اينگونه ساختارها را ساختار دورآلاييده مي نامند .به دليل جدايي فضايي بين حاملهاي آزاد دوبعدي و ناخالصي­هاي يونيده در ساختارهاي دورآلاييده برهمکنش کولني کاهش يافته و درنتيجه پراکندگي ناشي از ناخالصي­هاي يونيده کاهش و به تبع آن تحرک­پذيري حاملهاي آزاد دوبعدي افزايش مي­يابد .چگالي سطحي گاز حفره­اي دوبعدي به پارامترهاي ساختار مثلاً ضخامت لايه جداگر ، چگالي سطحي بارهاي لايه پوششي ، ضخامت لايه پوششي ، و غيره وابسته است. علاوه بر اين در ساختارهاي دورآلاييده دريچه­دار با تغيير ولتاِژ دريچه چگالي سطحي گاز حفره­اي قابل کنترل مي­باشد . اين ساختارها در ساخت ترانزيستورهاي اثر ميداني مورد استفاده قرار مي­گيرند .

در اين پايان نامه ابتدا به تشريح ساختار دورآلاييده  Si/SiGe/Siمي­پردازيم و سپس مدلي نظري که بتواند ويژگيهاي الکتريکي گاز حفره­اي دوبعدي درون چاه کوانتومي ساختارp-Si/SiGe/Si  و همچنین ميزان انتقال بار آزاد به درون چاه و بستگي آن به پارامترهاي ساختار را توجيه کند ارائه می دهیم  .  در ساختار دورآلاييده معکوس p-Si/SiGe/Si دريچه­دار با دريچه Al/Ti/Si از اين مدل نظري استفاده مي­کنيم و با برازش نتایج تجربی تغییرات چگالی سطحی گاز حفره­ای بر حسب ولتاژ دریچه توانسته­ایم چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si در این ساختارها را در محدوده (m-2) 1015 × 78/1 تا (m-2) 1015 × 63/4  ارزیابی کنیم  .


مقدمه:

امروزه قطعات جديدي در دست تهيه­اند که از لايه­هاي نازک متوالي نيمه­رساناهاي مختلف تشکيل مي شوند . هر لايه داراي ضخامت مشخصي است که به دقت مورد کنترل قرار مي گيرد و از مرتبه 10 نانومتر است . اينها ساختارهاي ناهمگون ناميده مي شوند . خواص الکتروني لايه­هاي بسيار نازک را مي توان با بررسي ساده­اي که برخي از اصول اساسي فيزيک کوانتومي را نشان مي دهد به دست آورد [31] .

در اين فصل ابتدا به بررسي خواص نيمه­رسانا مي پردازيم سپس با نيمه­رساناهاي سيليکان و ژرمانيوم آشنا مي شويم و بعد از آن انواع روشهاي رشد رونشستي و ساختارهاي ناهمگون را مورد بررسي قرار  مي دهيم و همچنين ساختارهاي دورآلاييده را بررسي مي کنيم و در آخر نيز به بررسي کاربرد ساختارهاي دورآلاييده و ترانزيستورهاي اثر ميداني مي پردازيم.   

 

 

 

 

 




 قیمت: 65,000 تومان  پرداخت و دانلود

#نسخه_الکترونیکی_کمک_در_کاهش_تولید_کاغذ_است. #اگر_مالک_یا_ناشر_فایل_هستید، با ثبت نام در سایت محصول را به سبدکاربری خود منتقل و درآمدفروش آن را دریافت نمایید.


برچسب ها: پروژه تعيين چگالي بارهاي سطحي ميان گاه
دسته بندی: کالاهای دیجیتال » رشته فیزیک (آموزش_و_پژوهش)

تعداد مشاهده: 4263 مشاهده

فرمت محصول دانلودی:.rar

فرمت فایل اصلی: doc

تعداد صفحات: 151

حجم محصول:7,122 کیلوبایت


نماد اعتماد الکترونیکی


با خرید از ما کدتخفیف10درصدی هدیه دریافت کنید!

درباره ما

"فارسفایل"سال1391 به عنوان اولین مرکز ارائه فروش محصولات دیجیتال با هدف کارآفرینی تاسیس گردید. این حوزه با افزایش آنلاین شاپ ها در کسب کارهای اینترنتی بخش بزرگی از تجارت آنلاین جهانی را در این صنعت تشکیل داده است. حال بستری مناسب برای راه اندازی فروشگاه کسب کار شما آماده شده که امکان فروش محتوا و محصولات دیجیتالی شما وجود دارد.

تماس با ما

آدرس: گناباد، بخش مرکزی، شهرک فرهنگیان، بلوار استقلال، بلوار امام سجاد پلاک70 طبقه_همکف کدپستی9691944367
(ساعت پاسخگویی 7صبح الی 24شب)

تلفن تماس051-57261834 ایمیلfarsfile@gmail.com ارسال پیام در تلگـــرام

نشان و آمار سایت

logo-samandehi
266,110 بازدید امروز
484,320 بازدید دیروز
441,579,618 بازدید کل
48,576 فروش موفق
18,569 تعداد فروشگاه
48,120 تعداد فایل
تمام حقوق مادی و معنوی سایت برای فارسفایل محفوظ می باشد.
کدنویسی توسط : فارسفایل